| 仪器设备基本信息 | ||
| 设备名称： | 电子束光刻机 |
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| 仪器型号： | CABL-9000C | |
| 所属企业： | ||
| 所属类别： | 仪器 | |
| 设备原值： | 700 | |
| 制造厂商： | CRESTEC | |
| 生产国别： | 日本 | |
| 购置日期： | ||
| 服务方式： | 对外服务 | |
| 仪器设备详细指标 | ||
| 主要技术指标： | 技术参数： 电子束光刻系统/电子束直写系统/电子束曝光系统 1.最小线宽：小于10nm（8nm available) 2.加速电压：1-50kV 3.电子束直径：小于2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option) 7.描电镜分辨率：小于2nm | |
| 功能/应用范围： | 纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供尖端的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。CABL-9000C系列最小线宽可达8nm，最小束斑直径2nm，套刻精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。 | |
| 服务领域： | 3② | |
| 技术特色： | ||
| 联系方式 | ||
| 联系人： | 张亮亮 | |
| 联系方式： | 13772544959 | |
