仪器设备基本信息 | ||
设备名称: | 电子束光刻机 |
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仪器型号: | CABL-9000C | |
所属企业: | ||
所属类别: | 仪器 | |
设备原值: | 700 | |
制造厂商: | CRESTEC | |
生产国别: | 日本 | |
购置日期: | ||
服务方式: | 对外服务 | |
仪器设备详细指标 | ||
主要技术指标: | 技术参数: 电子束光刻系统/电子束直写系统/电子束曝光系统 1.最小线宽:小于10nm(8nm available) 2.加速电压:1-50kV 3.电子束直径:小于2nm 4.套刻精度:20nm(mean+2σ) 5.拼接精度:20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸:4-8英寸(standard),12英寸(option) 7.描电镜分辨率:小于2nm | |
功能/应用范围: | 纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供尖端的电子束纳米光刻(EBL)系统,或称电子束直写(EBD)、电子束爆光系统。CABL-9000C系列最小线宽可达8nm,最小束斑直径2nm,套刻精度 20nm(mean+2σ),拼接精度 20nm(mean+2σ)。 | |
服务领域: | 3② | |
技术特色: | ||
联系方式 | ||
联系人: | 张亮亮 | |
联系方式: | 13772544959 | |